磁阻效應維基百科,自由的 encyclopedia 磁阻效應(英語:Magnetoresistance,簡稱MR),是指材料的電阻隨着外加磁場之變化而改變的效應,其物理量的定義,是在有無磁場下的電阻差除上原先電阻,用以代表電阻變化率。有多種可以稱為磁阻的效應:一些發生在大量非磁性金屬和半導體中,例如幾何磁阻,舒勃尼科夫-德哈斯振盪或金屬中常見的正磁阻[1] 。其他的效應發生在磁性金屬中,例如鐵磁體中的負磁阻[2]或各向異性磁阻(AMR)。
磁阻效應(英語:Magnetoresistance,簡稱MR),是指材料的電阻隨着外加磁場之變化而改變的效應,其物理量的定義,是在有無磁場下的電阻差除上原先電阻,用以代表電阻變化率。有多種可以稱為磁阻的效應:一些發生在大量非磁性金屬和半導體中,例如幾何磁阻,舒勃尼科夫-德哈斯振盪或金屬中常見的正磁阻[1] 。其他的效應發生在磁性金屬中,例如鐵磁體中的負磁阻[2]或各向異性磁阻(AMR)。