| 同位素
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衰變
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豐度
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半衰期 (t1/2)
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方式
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能量
（MeV）
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產物
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| 112Sn
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0.97%
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穩定，帶62粒中子
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| 113Sn
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人造
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115.08 天
|
β+
|
0.017
|
113In
|
| 114Sn
|
0.66%
|
穩定，帶64粒中子
|
| 115Sn
|
0.34%
|
穩定，帶65粒中子
|
| 116Sn
|
14.54%
|
穩定，帶66粒中子
|
| 117Sn
|
7.68%
|
穩定，帶67粒中子
|
| 117m1Sn
|
人造
|
13.939 天
|
IT
|
0.315
|
117Sn
|
| 118Sn
|
24.22%
|
穩定，帶68粒中子
|
| 119Sn
|
8.59%
|
穩定，帶69粒中子
|
| 120Sn
|
32.58%
|
穩定，帶70粒中子
|
| 121m1Sn
|
人造
|
43.9 年
|
IT
|
0.006
|
121Sn
|
| β−
|
0.409
|
121Sb
|
| 122Sn
|
4.63%
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穩定，帶72粒中子
|
| 124Sn
|
5.79%
|
穩定，帶74粒中子
|
| 126Sn
|
痕量
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2.3×105 年
|
β−
|
0.338
|
126m2Sb
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| β−
|
0.360
|
126m1Sb
| |