快閃記憶體
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快閃記憶體(英語:Flash memory),是一種像唯讀記憶體一樣的記憶體,允許對資料進行多次的刪除、加入或覆寫。這種記憶體廣泛用於記憶卡、USB手指之中,因其可迅速改寫的特性非常適合手機、手提電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移,也曾經是數碼相機、數碼隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。
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「Flash memory」的各地常用名稱 | |
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中國大陸 | 快閃存儲器、閃存 |
臺灣 | 快閃記憶體 |
早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料,但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。與傳統的硬碟相比,快閃記憶體有更佳的動態抗震性,不會因為劇烈晃動而造成資料丟失;快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠,可以浸在水中,也可抵抗高壓力和極端溫度;並且快閃記憶體屬於「非揮發性固態儲存」,非揮發性指的是在儲存檔案時不需要消耗電力。基於以上這些優點,使得快閃記憶體非常適用於需要遊歷各種場所並需要隨時存檔的電子裝置,因此在小型的可移動電子裝置中大放異彩。快閃記憶體的出現迅速取代了造價高昂的普通EEPROM或需要保持供電才能儲存數據的SRAM。
快閃記憶體在分類上屬於「EEPROM」的一種,但一般業界所講的EEPROM指的是那種「非快閃式」的普通EEPROM,並不是指它。快閃記憶體以「大區塊抹除」的方式改寫其體內的資料,因為這種大區塊的特性導致它的「寫入速度」往往慢於「讀取速度」,但也導致它的成本遠遠低於「以位元組為單位寫入」的普通EEPROM[1]。由於普通EEPROM需要一個一個位元的刪除已有資料,這讓其傳輸速度極其緩慢,相較之下快閃記體直接使用「大區塊抹除」則會快得多,在會多次用到高清畫面、高質素音樂的情況下尤為明顯。
快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型,快閃記憶體最常見的封裝方式是TSOP48和BGA,在邏輯介面上的標準則由於廠商陣營而區分為兩種:ONFI (頁面存檔備份,存於互聯網檔案館)和Toggle。手機上的快閃記憶體常常以eMMC、UFS和NVME(特用於蘋果裝置中的快閃記憶體)的方式存在。