一碲化鍺

一碲化鍺是一種無機化合物，化學式為GeTe。它是一種半金屬導體，具有鐵電性質。^[2]

一碲化鍺
別名	碲化鍺(II)
識別
CAS號	12025-39-7  Y
PubChem	16213264
ChemSpider	74888
SMILES	[Te]=[Ge]
InChI	1/GeTe2/c2-1-3
InChIKey	GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYAU
性質
化學式	GeTe
摩爾質量	200.21 g·mol⁻¹
外觀	固體
密度	6.14 g/cm3
熔點	725 °C（998 K）
能隙	0.6 eV [1] eV
折光度n D	5
結構
晶體結構	菱方, hR6
空間群	R3m, No. 160
晶格常數	a = 4.1719 Å, c = 10.710 Å
相關物質
其他陰離子	一氧化鍺 一硫化鍺 一硒化鍺
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

它主要存在三種晶型，室溫的α型（菱方）和γ型（正交），以及高溫的β型（立方，岩鹽型），其中α相是純GeTe在鐵電居里溫度670 K下最常見的相。^[3][4]

摻雜的一碲化鍺是低溫超導體。^[5]

參考文獻

1. R. Tsu; et al. Optical and Electrical Properties and Band Structure of GeTe and SnTe. Phys. Rev. 1968, 172 (3): 779–788. Bibcode:1968PhRv..172..779T. doi:10.1103/PhysRev.172.779.
2. A. I. Lebedev; I. A. Sluchinskaya; V. N. Demin; I. H. Munro. Influence of Se, Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe studied by EXAFS. Phase Transitions. 1997, 60 (2): 67 [2021-02-15]. doi:10.1080/01411599708220051. （原始內容存檔於2016-03-03）.
3. E. I. Givargizov; A.M. Mel'nikova. Growth of Crystals. Birkhäuser. 2002: 12. ISBN 0-306-18121-5.
4. Pawley, G.; Cochran, W.; Cowley, R.; Dolling, G. Diatomic Ferroelectrics. Physical Review Letters. 1966, 17 (14): 753. Bibcode:1966PhRvL..17..753P. doi:10.1103/PhysRevLett.17.753.
5. Hein, R.; Gibson, J.; Mazelsky, R.; Miller, R.; Hulm, J. Superconductivity in Germanium Telluride. Physical Review Letters. 1964, 12 (12): 320. Bibcode:1964PhRvL..12..320H. doi:10.1103/PhysRevLett.12.320.