三氟化氮 - Wikiwand
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三氟化氮

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三氟化氮
IUPAC名
Nitrogen trifluoride
別名 氟化氮
三氟胺
三氟氨
識別
CAS號 7783-54-2 ?
PubChem 24553
UN編號 2451
RTECS QX1925000
性質
化學式 NF3
摩爾質量 71.0019 g·mol⁻¹
外觀 無色氣體
密度 3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C)
1.885 g/cm3 (沸點時,液態)
熔點 −207.15 °C(66 K)
沸點 −129.1 °C(144 K)
溶解性 0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar)
結構
分子構型 三角錐
偶極矩 0.234 D
危險性
MSDS Air Liquide MSDS
歐盟編號 未列出
NFPA 704
0
1
0
OX
閃點 不易燃
若非註明,所有數據均出自一般條件(25 ℃,100 kPa)下。

三氟化氮NF3)是鹵化氮中最穩定的,可在的催化下由氣與氣製成。[1] 它可以用作氟化氫激光器的氧化劑,半導體、液晶和薄膜太陽能電池生產過程中的蝕刻劑。曾被試做火箭燃料。[2] 但由於三氟化氮屬於溫室氣體,能加劇溫室效應,因此有人認為應該限制這種化合物的使用。[3]

三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色,不過這類清潔劑是氣態,而非液態。

在半導體中,薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」(CVD)機台,會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料,但這些材料不僅會附着在晶片上,也附着在反應室內的牆壁上,內牆上的二氧化矽累積至相當數量,就會在反應室內形成微塵粒子(Particle),影響晶圓片的良率。

因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後,就要使用含氟的氣體清洗,以去除內壁上的矽化物質。不過NF3與CF4、C2F6等氣體都屬於多氟碳化物,是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響,在排放含氟廢氣前,會以高溫(攝氏700、800度才進行)將氣體由有機轉分解為無機,才不會破壞臭氧層。

目前全球供應NF3氣體的廠商主要有四家,最大供應商為美國的Air Product(APCI),在台代理商是三福化工,其餘三家皆為日本公司,分別為三井、關東電化(KDK),以及Central Gas。

來源

  1. ^ 三氟化氮. [2009-12-20]. (原始內容存檔於2014-05-06). 
  2. ^ 氟化物及產業發展[永久失效連結]
  3. ^ 最新观测:三氟化氮应进温室气体“黑名单”. [2009-12-20]. (原始內容存檔於2014-05-06). 
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三氟化氮
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