功率MOSFET
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功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),也是功率半導體(英語:power semiconductor device)的一種。和其他功率半導體(例如絕緣柵雙極電晶體或晶閘管)比較,功率MOSFET的優點是其切換速度快,在低電壓下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體,因此在驅動上比較容易。功率MOSFET的缺點是增益較小,有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。
MOSFET及互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術持續的演進,自1960年起已用在積體電路上,這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在電力電子學,是源自信號級的MOSFET,自1970年代開始有商品販售[2]。
功率MOSFET是最常見的功率半導體(英語:power semiconductor device),原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度[3]、容易實施的並聯技術[3][4]、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修[4]。在低壓(200V以下)的應用中,功率MOSFET是最常見的功率半導體。功率MOSFET可以用在許多不同的領域中,包括大部份的電源供應器、直流-直流轉換器、低電壓電機控制器等,以及許多其他的應用。