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硒化鉍

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硒化鉍
IUPAC名
selenoxobismuth, selanylidenebismuth [1]
識別
CAS號 12068-69-8  ✓
PubChem 6379269
SMILES
EINECS 235-104-7
性質
化學式 Bi2Se3
摩爾質量 654.8 g/mol [2] g·mol⁻¹
外觀 暗灰色固體[3]
密度 6.82 g/cm^3[2]
熔點 710 °C(983 K)
溶解性 insoluble
溶解性 insoluble in organic solvents
soluble in strong acids [2]
結構
晶體結構 rhombohedral
熱力學
ΔfHmo298K -140 kJ/mol
危險性
主要危害 有毒[3]
NFPA 704
0
2
0
 
若非註明,所有數據均出自一般條件(25 ℃,100 kPa)下。

硒化鉍(Bi2Se3)是一種灰色粉末,它是一種半導體,為熱電材料。[4]具有完美化學計量比的硒化鉍是半導體,帶寬為0.3 eV,其硒空穴是電子授體,化學性質類似半金屬[5]在硒化鉍中,觀察到了拓撲保護表面態[6]它是現在科學研究的主題。[7]

參見

  • 熱電材料

參考文獻

  1. ^ Bismuth(III) selenide - PubChem Public Chemical Database. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov. 2011-10-21 [2011-11-01]. 
  2. ^ 2.0 2.1 2.2 bismuth selenide | Bi2Se3. ChemSpider. [2011-11-01]. (原始內容存檔於2015-07-03). 
  3. ^ 3.0 3.1 Bismuth Selenide | Bismuth Selenide. Espimetals.com. [2011-11-01]. (原始內容存檔於2011-09-08). 
  4. ^ Mishra, S K; S Satpathy; O Jepsen. Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide. Journal of Physics: Condensed Matter. 1997-01-13, 9: 461–470 [2011-11-01]. ISSN 0953-8984. doi:10.1088/0953-8984/9/2/014. (原始內容存檔於2014-06-24). 
  5. ^ Hor, Y. S.; A. Richardella; P. Roushan; Y. Xia; J. G. Checkelsky; A. Yazdani; M. Z. Hasan; N. P. Ong; R. J. Cava. p-type Bi_{2}Se_{3} for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications. Physical Review B. 2009-05-21, 79 (19): 195208 [2011-11-01]. doi:10.1103/PhysRevB.79.195208. 
  6. ^ Hsieh, D.; Y. Xia; D. Qian; L. Wray; J. H. Dil; F. Meier; J. Osterwalder; L. Patthey; J. G. Checkelsky; N. P. Ong; A. V. Fedorov; H. Lin; A. Bansil; D. Grauer; Y. S. Hor; R. J. Cava; M. Z. Hasan. A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime. Nature. 2009, 460 (7259): 1101–1105 [2010-03-25]. ISSN 0028-0836. PMID 19620959. doi:10.1038/nature08234. 
  7. ^ Brumfield, Geoff. Topological insulators: Star material : Nature News. Nature. 2010-07-14, 466: 310–311 [2010-08-06]. PMID 20631773. doi:10.1038/466310a. (原始內容存檔於2017-10-12). 
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