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磷化銦

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磷化銦
別名 Indium(III) phosphide
識別
CAS號 22398-80-7  ✓
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
InChI
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性質
化學式 InP
摩爾質量 145.792 g·mol⁻¹
外觀 黑色立方晶體
密度 4.81 g/cm3(固體時)
熔點 1062 °C(1335 K)
溶解性 微溶於[1]
能隙 1.344(300 K,直接帶隙) eV
電子遷移率 5400 cm2/(V·s) (300 K)
熱導率 0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n
D
3.1 (紅外線);
3.55 (632.8 nm)[2]
結構
晶體結構 閃鋅礦結構
晶格常數 a = 5.8687 Å [3]
配位幾何 四面體
熱力學
ΔfHmo298K -88.7 kJ/mol
So298K 59.8 J/(mol·K)
熱容 45.4 J/(mol·K)[4]
危險性
MSDS External MSDS
歐盟編號 未列出
主要危害 有毒,會水解為磷化氫
相關物質
其他陰離子 氮化銦
砷化銦
銻化銦英語Indium antimonide
其他陽離子 磷化鋁
磷化鎵
相關化學品 磷化銦鎵
磷化鋁鎵銦英語Aluminium gallium indium phosphide
砷銻磷化鎵銦英語en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide
若非註明,所有數據均出自一般條件(25 ℃,100 kPa)下。

磷化銦Indium phosphide,InP)是由組成的二元半導體材料,磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同,都是面心立方(閃鋅礦)晶體結構

製備

磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備[5]

用途

磷化銦因為電子速率較常見的半導體及砷化鎵都要高,可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接帶隙英語direct bandgap,適合作像雷射二極管光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷英語indium gallium arsenide為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學

在面心立方(閃鋅礦)晶體結構的化合物中,磷化銦有最長壽命的光學聲子[6]

參考資料

  1. ^ Template:Citation book
  2. ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698. 
  3. ^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. (原始內容存檔於2015-09-24). 
  4. ^ Template:Citation book
  5. ^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. (原始內容存檔於2016-01-06). 
  6. ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. 

外部連結

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磷化銦
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