雷射加熱平台成長
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雷射加熱平台成長(Laser-heated pedestal growth,縮寫簡稱LHPG)或雷射浮區法(laser floating zone,縮寫簡稱LFZ))是一種晶體成長技術。
該技術可以被視為一種精簡版的區域熔煉,只不過熱源改成了功率強大的二氧化碳雷射或者釔鋁石榴石雷射。
在現代眾多液體/固體相變化的晶體成長技術中,雷射加熱平台成長已成為材料科學研究中的重要技術。[1][2] 雷射加熱平台成長技術具有兩大優勢,其一為高拉取速率(高達傳統柴氏拉晶法的60倍快),其二為可以生長熔點較高的材料。[3][4][5] 除此之外,雷射加熱平台成長不需要用到坩堝,意味着該技術可以成長幾乎不受雜質及應力影響的單晶。