電子移動率（英語：electron mobility）是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為電洞遷移率（hole mobility）。人們常用載子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。
外部連結
- The minority Carrier Lifetime in silicon wafer （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）
- semiconductor glossary entry for electron mobility （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）
- Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom
- Online lecture- Mobility （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） from an atomistic point of view
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