電子注入增強柵電晶體維基百科,自由的 encyclopedia 電子注入增強柵電晶體(Injection enhanced gate transistor),簡稱IEGT,是一種結合了GTO和IGBT元件優點的電子半導體器件,具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高、節能性高等特性。 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2020年10月31日) IEGT最先由日本東芝於1993年所研發,並以注入式增強結構(Injection Enhanced,簡稱IE)技術,取得IEGT器件開發與生產專利,也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。
電子注入增強柵電晶體(Injection enhanced gate transistor),簡稱IEGT,是一種結合了GTO和IGBT元件優點的電子半導體器件,具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高、節能性高等特性。 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2020年10月31日) IEGT最先由日本東芝於1993年所研發,並以注入式增強結構(Injection Enhanced,簡稱IE)技術,取得IEGT器件開發與生產專利,也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。