後段製程

後段製程^[2]（英語：back end of line，BEOL，中國大陸作後道工序^[1]或後端工藝，台灣作後段製程^[2]）是IC製造的第二部分，其中各個元件（電晶體、電容器、電阻器等）與晶圓上的布線（金屬化層）互連。常見的金屬有銅和鋁。 ^[3]BEOL通常在晶圓上沉積第一層金屬時開始。BEOL包括觸點、絕緣層（電介質）、金屬層以及用於晶片與封裝連接的接合位點。

BEOL （金屬化層）和FEOL （元件）。

CMOS製造工藝

在最後一個FEOL步驟之後，就會出現一個帶有隔離電晶體（沒有任何電線）的晶圓。在製造階段的BEOL部分中，形成接觸（焊盤）、互連線、通孔和介電結構。對於現代IC工藝，可以在BEOL中添加 10 多個金屬層。

BEOL 步驟：

1. 源極和汲極區域以及多晶矽區域的矽化。
2. 添加電介質（第一層，下層是預金屬電介質（PMD） – 將金屬與矽和多晶矽隔離，對其進行CMP處理
3. 在 PMD 上打孔，並在其中建立接觸點。
4. 添加金屬層1
5. 添加第二個電介質，稱為金屬間電介質（IMD）
6. 通過電介質製作通孔以將較低金屬與較高金屬連接。通過金屬CVD工藝填充通孔。

   重複步驟 4-6 以獲取所有金屬層。

7. 添加最終鈍化層以保護微晶片

1998 年之前，幾乎所有晶片都使用鋁作為金屬互連層。 ^[4]

BEOL 之後有一個「後段製程」，該工藝不是在無塵室中完成的，通常由不同的公司完成。它包括晶圓測試、晶圓背面研磨、晶片分離、晶片測試、 IC封裝和最終測試。

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