流動DDR

流動DDR（英文：Mobile DDR）（也稱MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如智能電話等。

LPDDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8

DDR主記憶體從DDR、DDR2、DDR3發展到DDR4，頻率不斷升高、電壓不斷降低，但反應時間不斷變大。如今的DDR4主記憶體最重要的使命是提高頻率和頻寬。DDR4主記憶體的每個針腳可提供2Gbps（256MB/s）的頻寬，擁有4266MT/s的頻率，主記憶體容量最大可達128GB，執行電壓正常可降至1.1V~1.2V。

相對於DDR主記憶體，MDDR具有低功耗、高可靠性的特點，目前韓國三星電子與美光科技（Micron Technology）等公司已掌握該項技術。

MDDR的執行電壓（工作電壓）低於DDR的標準電壓，從第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使內部讀取速度和外部傳輸速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的頻寬，輸入/輸出介面數據傳輸速度最高可達3200Mbps，電壓降到了1.1V。

LPDDR2

一個新的JEDEC標準JESD209-2F （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）定義了low-power DDR介面標準。它與DDR1或DDR2 SDRAM並不相容，但類似：

• LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
• LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是
• LPDDR2-N: 非揮發性（NAND）主記憶體。

低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。

LPDDR2 命令編碼^[1]

CK	CA0 (RAS)	CA1 (CAS)	CA2 (WE)	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	CA8	CA9	操作
↑	H	H	H	—							NOP
↓	—
↑	H	H	L	H	H	—					預先充電所有的 banks
↓	—
↑	H	H	L	H	L	—		BA2	BA1	BA0	預先充電一個 bank
↓	—
↑	H	H	L	H	A30	A31	A32	BA2	BA1	BA0	Preactive (LPDDR2-N only)
↓	A20	A21	A22	A23	A24	A25	A26	A27	A28	A29
↑	H	H	L	L	—						突發中止
↓	—
↑	H	L	H	reserved		C1	C2	BA2	BA1	BA0	讀 (AP=auto-precharge)
↓	AP	C3	C4	C5	C6	C7	C8	C9	C10	C11
↑	H	L	L	reserved		C1	C2	BA2	BA1	BA0	寫 (AP=auto-precharge)
↓	AP	C3	C4	C5	C6	C7	C8	C9	C10	C11
↑	L	H	R8	R9	R10	R11	R12	BA2	BA1	BA0	啟用 (R0–14=Row address)
↓	R0	R1	R2	R3	R4	R5	R6	R7	R13	R14
↑	L	H	A15	A16	A17	A18	A19	BA2	BA1	BA0	啟用 (LPDDR2-N only)
↓	A5	A6	A7	A8	A9	A10	A11	A12	A13	A14
↑	L	L	H	H	—						更新所有的 banks (LPDDR2-Sx only)
↓	—
↑	L	L	H	L	—						更新一個 bank (Round-robin addressing)
↓	—
↑	L	L	L	H	MA0	MA1	MA2	MA3	MA4	MA5	Mode register read (MA0–7=Address)
↓	MA6	MA7	—
↑	L	L	L	L	MA0	MA1	MA2	MA3	MA4	MA5	Mode register write (OP0–7=Data)
↓	MA6	MA7	OP0	OP1	OP2	OP3	OP4	OP5	OP6	OP7

列地址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。 突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE訊號，操作像SDRAM。

• 如果晶片被啟用（active），它凍結（freeze）到位。
• 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。
• 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。
• 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）

LPDDR3

2012年5月，JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。

LPDDR4

2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來流動裝置的新標準，如LPDDR4。

LPDDR4X

三星電子提出最新的LPDDR4標準，與LPDDR4相同，只是透過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節省額外的功耗，也就是更省電。

LPDDR5

2017年，JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格，但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。

JEDEC於2019年2月19日發佈了JESD209-5，低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）標準。

LPDDR5X

2021年7月28日，JEDEC發佈了JESD209-5B，低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新，專注於提高效能、功耗和靈活性，以及新的LPDDR5X標準，這是對LPDDR5的可選擴展。

2021年11月9日，三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%^[2]。

2021年11月22日， 美光科技宣佈，聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM，並將用於其為智能電話打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。^[3]

LPDDR6

• 速度擴充達到 14400 Mbit/s
• CAMM2