场效应管维基百科,自由的 encyclopedia 场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子器件。 “FET”重定向至此。关于其他用法,请见“FET (消歧义)”。 大功率N沟道场效应晶体管 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为“单极性晶体管”,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。[1]
场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子器件。 “FET”重定向至此。关于其他用法,请见“FET (消歧义)”。 大功率N沟道场效应晶体管 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为“单极性晶体管”,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。[1]