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外延 (晶体)

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“外延 (晶体)”的各地常用别名
中国大陆 外延
港台 磊晶[1]

外延(英语:Epitaxy),是指一种用于半导体器件制造过程中,在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长(Epitaxial Growth),或指以外延技术成长出的结晶,有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。

外延技术可用以制造晶体管CMOS集成电路等各种组件,尤其在制作化合物半导体例如砷化镓外延晶圆英语Epitaxial wafer时,外延尤其重要。

外延成长技术的种类

  • 化学气相沉积
  • 分子束外延技术:在高度真空下在表面沉积新的半导体结晶层的外延技术,相关可见真空蒸镀技术。
  • 液相外延或称液态外延(英语:Liquid Phase Epitaxy, LPE)的外延技术
  • 固相外延(英语:Solid Phase Epitaxy, SPE)的外延技术

参考来源

文献
  • Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1. 
引用
  1. ^ Epitaxy. 国家教育研究院. [2016-01-24] (中文). (繁体中文)

外部链接

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