多层单元
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多层单元(英语:multi-level cell,缩写MLC)是一种存储多个位元资讯的存储器组件。
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MLC NAND闪存是一种在每个单元(cell)上使用多个层次的闪存技术,从而允许相同数量的晶体管存储更多位元。在单层单元(SLC)NAND闪存技术中,每个单元只能处于两种状态中的一种,即每个单元存储一个位元。很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态,因此可以用每个单元存储两个位元。这减少了区分状态的余量,从而增加了发生错误的可能性。面向低错误率而设计的多层单元有时称之为企业级MLC(eMLC)。
三层单元(Triple-level cells,缩写TLC)是MLC存储器的一种子类型,并随着MLC存储器的演变而有着较混乱的命名法。存储器层次结构表现为如下顺序:
- SLC - (最快,极高成本)
- MLC - (中上,高成本)
- TLC - (中等,低成本)
- QLC - (最慢,极低成本)