威廉·肖克利
美国物理学家、发明家 / 维基百科，自由的 百科全书
威廉·肖克利（英语：William Shockley，1910年2月13日—1989年8月12日），出生于英国的美国物理学家和发明家，一生共获得50多项专利[1]。
威廉·萧克利  William Shockley | |
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| 出生 | (1910-02-13)1910年2月13日 英国英格兰伦敦 |
| 逝世 | 1989年8月12日(1989岁—08—12)（79岁） 美国加利福尼亚州史丹福 |
| 国籍 | 美国 |
| 母校 | 加州理工学院 麻省理工学院 |
| 知名于 | 点接触电晶体（英语：Point-contact transistor） 双极性电晶体 萧克利二极体方程式 |
| 奖项 |  诺贝尔物理奖 (1956)康斯托克物理奖（英语：Comstock Prize in Physics） (1953) IEEE荣誉奖章 (1980) |
| 科学生涯 | |
| 机构 | 贝尔实验室 肖克利半导体实验室 史丹佛大学 |
| 博士导师 | 约翰·斯莱特（英语：John C. Slater） |
他和约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明了电晶体。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。20世纪50-60年代，他在推动电晶体商业化的同时，选择到山景城开公司，造就了加利福尼亚州今天电子工业密布的硅谷地区。