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威廉·肖克利

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威廉·肖克利

William Shockley
出生 (1910-02-13)1910年2月13日
英国伦敦, 英格兰, 英国
逝世 1989年8月12日(1989-08-12)(79岁)
美国史丹福, 加利福尼亚州, 美国
国籍 美国美国
母校 加州理工学院
麻省理工学院
知名于 点接触晶体管英语Point-contact transistor
双极性晶体管
肖克利二极管方程式
奖项
诺贝尔物理奖 (1956)
康斯托克物理奖英语Comstock Prize in Physics (1953)
IEEE荣誉奖章 (1980)
科学生涯
机构 贝尔实验室
肖克利半导体
史丹佛大学
博士导师 约翰·斯莱特英语John C. Slater

威廉·肖克利(英语:William Shockley,1910年2月13日-1989年8月12日),英国出生的美国物理学家发明家,一生共获得90多项专利。

他和约翰·巴丁沃尔特·布喇顿共同发明了晶体管。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。20世纪50-60年代,他在推动晶体管商业化的同时,造就了加利福尼亚州今天电子工业密布的硅谷地区。

生平

肖克利在英国伦敦出生,父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位,其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作,曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。

1955年,他在加州山景城创立了“肖克利实验室股份有限公司”,聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合,八名主要员工(八叛逆)于1957年成立了仙童半导体公司,后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下,两次被转卖后于1968年永久关闭。

肖克利于1963年开始任斯坦福大学教授。他在晚年认为各种族遗传水准有高有低,并支持鼓动智力低下者自愿绝育,因而在科学界和媒体界引起了争议。他于1989年因前列腺癌去世。

参考文献


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