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扩散电流在半导体中因载流子(空穴或自由电子)扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中,耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡,因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。[1]
掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley experiment确定。
下面是这两种电流的对比:
扩散电流 | 漂移电流 |
---|---|
在半导体上没有外加电场的时候也存在扩散电流。 | 漂移电流取决于加在PN结二极管上的电场。 |
对于空穴和自由电子产生的电流,分别由常数 Dp 和 Dn,以及 +q 和 −q 决定, 但与电容率无关。 | 取决于电容率。 |
扩散电流的方向取决于载流子浓度的变化,而不是载流子浓度本身。 | 漂移电流的方向取决于外加电场的极性。 |
扩散电流存在无需在半导体上外加电场。这是因为扩散作用是由载流子浓度的变化,而不是载流子浓度本身所引起的。载流子(空穴和自由电子)从高浓度的地方运动到低浓度的地方,这种扩散运动产生了电流,叫做扩散电流。漂移电流和扩散电流构成了半导体中的总电流。载流子浓度的变化形成梯度。由于这个梯度,半导体内产生了电场。
当半导体中的载流子分布处于非平衡态时,扩散就会发生。比如半导体两端有电势差的时候,或者半导体一部分有光照产生了载流子,造成局部载流子浓度增加。如右图所示,当半导体中间有光照时,中间部分有较高载流子浓度,并向两边扩散。
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