杂质半导体(英语:extrinsic semiconductor)又称外质半导体非本征半导体,是掺杂了杂质的半导体,即在本征半导体中加入掺杂物,使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变,其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。

杂质半导体一般分为含n型或p型的杂质,在一定条件下(例如加热),可迫使其标准状态产生新的电子带电子间隙,分别称为n型半导体与p型半导体。

n型半导体

n型半导体(n-type semiconductor)又称电子型半导体,因掺有“施主杂质”使其原子的电子密度与空穴密度不平衡,导电的电子密度超过流动的空穴密度(产生超额的电子),导电性则由这些多数载流子为带负电荷的电子来决定。

概而言之,就是在纯净晶体的半导体(本征半导体,如硅晶体或锗晶体)中,掺入少量的五价元素杂质(如),由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,五价元素的杂质(以磷为例)会和纯半导体作用,磷原子的五个外层电子中的四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较易成为自由电子。于是,n型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。

p型半导体

p型半导体(p-type semiconductor)又称空穴型半导体,因掺有“受主杂质”使其原子的电子密度与空穴密度不平衡,流动的空穴密度超过导电的电子密度,导电性则由这些多数载流子为带正电荷的空穴(电洞)来决定。

概而言之,就是在纯净晶体的半导体(本征半导体,如硅晶体或锗晶体)中,掺入少量的三价元素杂质(如),由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,三价元素的杂质(以硼为例)会和纯半导体作用,硼原子的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”(电洞),这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。

掺杂

若在纯硅中掺杂(doping)少许的施子(即五价原子,最外层有5个电子的原子)如磷、砷、锑,施子的一个价电子就会成为自由电子,如此形成n型半导体,自由电子为n型半导体中导电的主要载流子(多数载流子)。

若在纯硅中掺杂少许的受子(即三价原子,最外层有3个电子的原子)如硼、铝、镓、铟,就少了1个电子,而形成一个空穴(Hole,或称电孔),如此形成p型半导体,电孔为p型半导体中导电的主要载流子(多数载流子)。

因掺杂前的本质半导体与杂质皆为电中性,掺杂后的外质半导体也为电中性。

参考来源

文献
引用

外部链接

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