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相变化存储器

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相变化存储器(英语:Phase-change memory,英语:Ovonic Unified Memory,英语:Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位存储器,是一种非易失性存储器设备。PRAM使用含一种或多种硫族化物玻璃英语Chalcogenide glass(Chalcogenide glass)制成,当前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃英语Chalcogenide glass的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代闪存的技术之一。

技术内容

限制

发展状况

Intel在2003年开始进行研发。

当前研究的单位有 Intel,Samsung,Macronix,Advanced Memory Corp.

外部链接

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