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硒化铟

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硒化铟
IUPAC名
Indium(III) selenide
别名 三硒化二铟,倍半硒化铟
识别
CAS号 12056-07-4  ✓
PubChem 166055
SMILES
性质
化学式 In2Se3
摩尔质量 466.516 g·mol⁻¹
外观 黑色晶体
密度 5.80 g/cm³
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

硒化铟的一种硒化物。它有潜力用于光伏器件,并且得到了广泛的研究。硒化铟的两种最常见的晶型——α型和β型,有着层状结构,而γ型具有缺陷的纤维锌矿结构英语Wurtzite (crystal structure)。至今,一共发现了硒化铟的五种相态(α、β、γ、δ、κ)。[1] 伴随着电导率的变化,会产生α- β 相态的相变。[2]γ-In2Se3 的能隙大约为 1.9 eV。 硒化铟的晶体结构取决于制备方法,例如γ-In2Se3 可以由三甲基铟(InMe3)和硒化氢(H2Se)通过有机金属化学气相沉积法制备而成。[3]

参见

扩展阅读

Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements 2nd. Oxford:Butterworth-Heinemann. 1997. ISBN 0-7506-3365-4. 

参考资料

  1. ^ Crystal structure of κ-In2Se3. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Applied Physics Letters, Volume 81, Issue 23, id. 4356 (2002) doi:10.1063/1.1526925
  2. ^ Some Electrical and Optical Properties of In2Se3 D. Bidjin, S. Popovi , B. Elustka Physica Status Solidi A Volume 6, Issue 1 , Pages 295 – 299 doi:10.1002/pssa.2210060133
  3. ^ Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors Chang, K. J.; Lahn, S. M.; Chang, J. Y. Applied Physics Letters, Volume 89, Issue 18, id. 182118 (3 pages) (2006). doi: 10.1063/1.2382742

外部链接

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硒化铟
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