磁阻式随机存取内存
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磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory,缩写为MRAM),是一种非易失性内存技术,从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为,这个技术速度接近SRAM,具有快闪存储器的非挥发性,容量密度及使用寿命不输DRAM,平均能耗远低于DRAM,成为真正的通用型内存(英语:Universal memory)(Universal memory)[1]。它目前由Everspin(英语:Everspin Technologies)公司生产,其他公司,包括格罗方德和三星电子已经宣布产品计划[2][3]。