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薄膜晶体管

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薄膜晶体管(英语:Thin-Film Transistor,缩写:TFT)是场效应晶体管的种类之一,大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电质和金属电极层。

TFT是在基板(如是应用在液晶显示器,则基板大多使用玻璃)上沉积一层薄膜当做通道区。

大部分的TFT是使用氢化非晶硅(a-Si:H)当主要材料,因为它的能阶小于单晶硅(Eg = 1.12eV),也因为使用a-Si:H当主要材料,所以TFT大多不是透明的。另外,TFT常在介电、电极及内部接线使用铟锡氧化物(ITO),ITO则是透明的材料。

因为TFT基板不能承受高的退火温度,所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积物理气相沉积(大多使用溅镀技术)都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT,第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料,此项技术由俄勒冈州立大学的研究员于2003年时发表。 [1] 常用的透明TFT半导体材料多为金属氧化物,除了ZnO之外,还有IGZO等。但是这些金属氧化物多为n型半导体材料。 很多人都知道薄膜晶体管主要的应用是TFT LCD液晶显示器技术的一种。晶体管被作在面板里,这样可以减少各像素间的互相干扰并增画面稳定度。大略是从2004年开始,大部分便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技术的。连在乳腺和癌症X-ray检查的数字X-ray摄影技术上也很常使用TFT面板。

新的AMOLED(主动数组OLED)屏幕也内置了TFT层。

参见

参考文献

  1. ^ Wager, John. OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor. College of Engineering, Oregon State University, Corvallis, OR: OSU News & Communication, 2003. 29 July 2007 存档副本. [2007-07-29]. (原始内容存档于2007-09-15). 
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