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雪崩二极管

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雪崩二极管
类型 被动
工作原理 雪崩击穿

雪崩二极管(avalanche diode)是设计在特定反向电压下,会雪崩击穿二极管,其材料会用或是其他半导体材料。雪崩二极管的接合面会经特别设计,避免电流集中及所产生高温热点,因此在崩溃时不会破坏二极管。雪崩击穿是因为少数载流子加速到足以使晶格电离的程度,因此产生更多的载流子,也造成更进一步的电离。因为雪崩击穿是在接面上均匀发生的,相较于非雪崩的二极管,雪崩二极管的击穿电压不会随电流而变化,大致呈一定值[1]

齐纳二极管除了齐纳崩溃英语Zener breakdown外,也会有类似的效应。任何一个二极管都会有这二种效应,但一般会有一个效应明显较强。雪崩二极管针对雪崩击穿进行最优化,因此在崩溃条件下会有很小,但明显的电压差。而齐纳二极管会维持在高过击穿电压的一个电压下。此特性比较类似气体放电管,比齐纳二极管的保护效果要好。雪崩二极管的电压有小的正温度系数,而齐纳二极管则是负温度系数[2]

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参考资料

  1. ^ L. W. Turner, (ed.), Electronics Engineer's Reference Book, 4th Edition, Newnes, 1976 pages 8-9 to 8-10
  2. ^ Jacob Millman Microelectronics, McGraw-Hill, 1979 ISBN 0-07-042327-X, pp. 45-47
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