电子注入增强栅晶体管维基百科,自由的 encyclopedia 电子注入增强栅晶体管(Injection enhanced gate transistor),简称IEGT,是一种结合了GTO和IGBT元件优点的电子半导体器件,具有功率大、体积小、效率高、耐压值高、节能性高等特性。 此条目没有列出任何参考或来源。 (2020年10月31日) IEGT最先由日本东芝于1993年所研发,并以注入式增强结构(Injection Enhanced,简称IE)技术,取得IEGT器件开发与生产专利,也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。
电子注入增强栅晶体管(Injection enhanced gate transistor),简称IEGT,是一种结合了GTO和IGBT元件优点的电子半导体器件,具有功率大、体积小、效率高、耐压值高、节能性高等特性。 此条目没有列出任何参考或来源。 (2020年10月31日) IEGT最先由日本东芝于1993年所研发,并以注入式增强结构(Injection Enhanced,简称IE)技术,取得IEGT器件开发与生产专利,也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。