电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。
外部链接
- The minority Carrier Lifetime in silicon wafer （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- semiconductor glossary entry for electron mobility （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom
- Online lecture- Mobility （页面存档备份，存于互联网档案馆） from an atomistic point of view
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