齐纳二极管
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齐纳二极管的电流电压关系图，在此显示击穿电压为17伏特。在此须注意的是，正向偏置（正方向）与反向偏置（负方向）电压数值的比例大小。通常可承受的正向偏置为0.65～0.7伏特；当电流约为1毫安培时，电压为约为0.65伏特。
齐纳二极管（英语：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术器件，因此又称为“稳压二极管”。
齐纳二极管的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首先阐述了绝缘体的电击穿特性，后来贝尔实验室运用这项发现，开发出此种二极管，并以齐纳作为命名以兹纪念。
基本原理
一般二极管正向导通时电压可维持在0.7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极管，使用上不是很方便。但观察二极管反向偏置很大时，所发生的击穿现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性发明了这种特殊的二极管——齐纳二极管，特别用在反向偏置的击穿范围。通常齐纳二极管掺杂浓度为。
与一般二极管有何异同
齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。
优点
齐纳二极管可以简化电路，如上所说，如果需要多颗二极管串联的电路，则可以用齐纳二极管来简化电路。齐纳二极管的这些特性，在电压比较器、直流稳压电源等方面有广泛的应用。
参见
参考文献
引用
来源
- 书籍
- 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 国立交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁体中文）
- 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 国立交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁体中文）
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