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齐纳二极管

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齐纳二极管在电路图中的符号
齐纳二极管在电路图中的符号
齐纳二极管的电流电压关系图,在此显示击穿电压为17伏特。在此须注意的是,正向偏置(正方向)与反向偏置(负方向)电压数值的比例大小。通常可承受的正向偏置为0.65~0.7伏特;当电流约为1毫安培时,电压为约为0.65伏特。
齐纳二极管的电流电压关系图,在此显示击穿电压为17伏特。在此须注意的是,正向偏置(正方向)与反向偏置(负方向)电压数值的比例大小。通常可承受的正向偏置为0.65~0.7伏特;当电流约为1毫安培时,电压为约为0.65伏特。

齐纳二极管(英语:Zener diode),是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿(崩溃)效应,制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术器件,因此又称为“稳压二极管”。

齐纳二极管的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳,他首先阐述了绝缘体的电击穿特性,后来贝尔实验室运用这项发现,开发出此种二极管,并以齐纳作为命名以兹纪念。

基本原理

一般二极管正向导通时电压可维持在0.7V,可提供稳定的电压,但如果我们需要更大的电压时,则需串联很多的二极管,使用上不是很方便。但观察二极管反向偏置很大时,所发生的击穿现象,此现象和正向导通时情况类似,都有稳压稳流的特性。因此,利用这个特性发明了这种特殊的二极管——齐纳二极管,特别用在反向偏置的击穿范围。通常齐纳二极管掺杂浓度为

与一般二极管有何异同

齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同,但是其反向击穿电压(又称齐纳电压)的范围远大于一般的二极管,能承受比一般二极管更高的电压,而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。

优点

齐纳二极管可以简化电路,如上所说,如果需要多颗二极管串联的电路,则可以用齐纳二极管来简化电路。齐纳二极管的这些特性,在电压比较器、直流稳压电源等方面有广泛的应用。

参见

参考文献

引用

来源

书籍
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齐纳二极管
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