22纳米制程维基百科,自由的 encyclopedia 22纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。[1] 相比先前的制程,自22纳米制程开始,沟道长度不再成为最为重要的因素。 台积电研发出了20nmFinFET制程后,将其更名为16nm制程;比较Apple A9芯片的表现,台积电16nm的省电性,确实明显优于三星的14nm。 22纳米的后继制程是14纳米。 Jetson Nano B01 4GB Developer Kit
22纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。[1] 相比先前的制程,自22纳米制程开始,沟道长度不再成为最为重要的因素。 台积电研发出了20nmFinFET制程后,将其更名为16nm制程;比较Apple A9芯片的表现,台积电16nm的省电性,确实明显优于三星的14nm。 22纳米的后继制程是14纳米。