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B·贾扬特·巴利加

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B·贾扬特·巴利加
B. Jayant Baliga
出生 (1948-04-28) 1948年4月28日71岁)
 印度马德拉斯
居住地  美国北卡罗来纳州罗里
国籍  美国
公民权  美国
母校 印度理工学院马德拉斯校区英语Indian Institute of Technology Madras
壬色列理工学院
知名于 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
奖项 IEEE荣誉奖章(2014年)
科学生涯
研究领域 功率半导体元件英语power semiconductor device
机构 北卡罗来纳州立大学

B·贾扬特·巴利加(英语:B. Jayant Baliga,1948年4月28日[1]),印度电机工程师,专精于功率半导体元件,发明了绝缘栅双极晶体管。为纪念晶体管发明50周年,科学美国人杂志将其列为“八位半导体革命英雄”(Eight Heroes of the Semiconductor Revolution)之一[2]

背景

巴利加出生在印度马德拉斯[3],成长于印度班加罗尔附近的小村庄加拉哈立英语Jalahalli。父亲是巴拉特电子有限公司(Bharat Electronics Limited)的前任负责人[4]。于1969年取得印度理工学院马德拉斯校区英语Indian Institute of Technology Madras的学士学位,并分别于1971年及1974年取得壬色列理工学院的硕士与博士学位。

职业生涯

巴利加在纽约州斯克内克塔迪通用电气公司研究发展中心工作达15年[5],后于1988年时担任北卡罗来纳州立大学全职教授。1997年时,获选为杰出大学教授(Distinguished University Professor[4]。巴利加所发明的绝缘栅双极晶体管,结合了电子工程及电机工程两大科学领域。此项发明为消费者节省的金钱超过美金15兆,同时形成智能电网的基础[4]。巴利加不仅工作于学术领域,同时也是三家利用半导体技术制造产品公司的创办人[4]。且拥有的美国专利超过100项。2010年,获美国总统奥巴马颁赠代表美国工程师最高荣誉的美国国家技术与创新奖章英语National Medal of Technology and Innovation[6]。并于2014年因“功率半导体元件的发明、改良及商业化对社会的巨大贡献”获颁IEEE荣誉奖章[7]

荣誉

相关条目

参考文献

  1. ^ John Edwards. B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor. Electronic Design. Nov 22, 2010 [2014-05-15] (英语). 
  2. ^ Dr. Jayant Baliga. North Carolina State University. [2014-05-15] (英语). 
  3. ^ Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor. [2014-05-15] (英语). 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 Shishir Prasad. Jayant Baliga's invention is a power saver. Forbes India. Feb 27, 2012 [2014-05-15] (英语). 
  5. ^ B. Jayant Baliga. IEEE. [2014-05-16] (英语). 
  6. ^ 6.0 6.1 President Obama Honors Nation’s Top Scientists and Innovators, September 27, 2011, The White House, Office of the Press Secretary, whitehouse.gov
  7. ^ IEEE 2014 Medals and Awards Recipients. IEEE. [2014-02-14]. (原始内容存档于2014-02-24). 
  8. ^ Fellow Class of 1983. IEEE. [2012-01-25]. (原始内容存档于2011-06-29). 
  9. ^ IEEE Lamme Medal Recipients (PDF). IEEE. [2012-01-25]. 
  10. ^ IEEE 2014 Medals and Awards Recipients. IEEE. [2014-02-14]. (原始内容存档于2014-02-24). 

外部链接

奖项
前任:
厄文·马克·雅各布
IEEE荣誉奖章
2014
现任
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