三氟化氮

三氟化氮（NF₃）是卤化氮中最稳定的无机化合物，可在铜的催化下由氨气与氟气制成。^[1] 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂，半导体、液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂。曾被试做火箭燃料。^[2] 但由于三氟化氮属于温室气体，能加剧温室效应，因此有人认为应该限制这种化合物的使用。^[3]

三氟化氮
IUPAC名 Nitrogen trifluoride
别名	氟化氮 三氟胺 三氟氨
识别
CAS号	7783-54-2 ?
PubChem	24553
UN编号	2451
RTECS	QX1925000
性质
化学式	NF3
摩尔质量	71.0019 g·mol⁻¹
外观	无色气体
密度	3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C) 1.885 g/cm3 (沸点时，液态)
熔点	−207.15 °C（66 K）
沸点	−129.1 °C（144 K）
溶解性（水）	0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar)
结构
分子构型	三角锥
偶极矩	0.234 D
危险性
MSDS	Air Liquide MSDS
欧盟编号	未列出
NFPA 704	0 1 0 OX
闪点	不易燃
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

三氟化氮在半导体及TFT-LCD制造的薄膜制程中扮演“清洁剂”的角色，不过这类清洁剂是气态，而非液态。

在半导体中，薄膜制程的主要设备是“化学气相沉积”（CVD）机台，会在晶圆片上长出薄膜。薄膜的成分有可能是硅、二氧化硅或其他金属材料，但这些材料不仅会附着在芯片上，也附着在反应室内的墙壁上，内墙上的二氧化硅累积至相当数量，就会在反应室内形成微尘粒子（Particle），影响晶圆片的良率。

因此每台CVD机台在处理过规定数量的晶圆片后，就要使用含氟的气体清洗，以去除内壁上的硅化物质。不过NF₃与CF₄、C₂F₆等气体都属于多氟碳化物，是造成温室效应的来源之一。半导体厂为了降低排气对温室效应的影响，在排放含氟废气前，会以高温（摄氏700、800度才进行）将气体由有机转分解为无机，才不会破坏臭氧层。