内存时序

存储器时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、T_RCD、T_RP和T_RAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（_RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写做2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

当将存储器时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

举例来说，DDR3-2000存储器的频率是1000 MHz，其周期为1 ns。基于这个1 ns的周期，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。

现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM晶片，其中包含为自动配置推荐的存储器时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序，甚至用更高的时序）。

注意：存储器带宽是测量存储器的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错（英语：Interleaved memory）访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR存储器都有着较高的传输速率，但绝对延迟则没有显著变化，尤其是市场上首批的新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。

即便增加了存储器延迟，增加存储器带宽也可以改善多处理器或多个线程组成的电脑系统的性能。更高的带宽也可以提升没有专用VRAM的集成显卡的性能。

名称	符号	定义
CAS潜伏时间（英语：CAS latency）	CL	发送一个列地址到存储器与数据开始反应之前的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一位元存储器所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是存储器控制器和存储器之间必须达成的确切数字。
行地址到列地址延迟	TRCD	打开一行存储器并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位存储器的时间是TRCD + CL。
行预充电时间	TRP	发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取存储器第一位元的时间是TRP + TRCD + CL。
行活动时间	TRAS	行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD + CL。否则，约等于TRCD + 2×CL。
备注 RAS：行地址选通脉冲，延续自异步DRAM的术语。 CAS：列地址选通脉冲，延续自异步DRAM的术语。 TWR：写入恢复时间。上一次对行的写入命令与预充电它之间必须经过的时间。通常，TRAS = TRCD + TWR。 TRC：行周期时间。TRC = TRAS + TRP。

BIOS中的处理

在英特尔体系的系统中，内存时序和管理由内存参考代码（英语：Memory Reference Code）（MRC）处理，这是BIOS/UEFI的一部分。^[1]