极紫外光刻

极紫外光刻（英语：extreme ultraviolet lithography，中国大陆称为极紫外光刻，台湾称为极紫外光微影，简称“EUV”或“EUVL”）又称作超紫外线平版印刷术, 是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于7纳米以下的先进制程，于2020年得到广泛应用^[1][2][3][4] 。

极紫外光光刻的成像机制

背景

DUV光刻制程

晶圆制造过程里有一道程序是将设计好的电路图案(Pattern)缩小转印到晶圆上，此道制程便称之为光刻, 7纳米以前的制程使用248或193纳米波长的光做为光源来进行光刻。早期市面上DUV光刻制程机台的供应商以Canon以及Nikon为主, 浸润式光刻（英语：Immersion lithography）出现后DUV光刻制程机台改由艾司摩尔所独霸。

EUV光刻制程

光刻制程中若想要优化电路图案(Pattern)的分辨率有两种做法，一是增加数值孔径, 二是降低光源波长。EUV光刻制程选择第二中作法,将光源波长降低13.5纳米来提升电路图案分辨率，由于EUV波长太短,非常容易被大气吸收,因此此道制程需要在真空环境中完成。目前EUV光刻制程机台由艾司摩尔所开发出的Twinscan光刻机所独霸一方。^[5][6]

光掩模

EUV光掩模与传统光掩模也截然不同，具复合多涂层反射镜（分散式布拉格反射器）的光掩模可将电路图案反射到晶圆上。这种多层膜光掩模虽然可维持光掩模的反射率，但另一方面会影响临界线宽、轮廓、刻线边缘粗糙度。