磷化铟

磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

磷化铟
别名	Indium(III) phosphide
识别
CAS号	22398-80-7  Y
PubChem	31170
ChemSpider	28914
SMILES	[In]#P
InChI	1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey	GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式	InP
摩尔质量	145.792 g·mol⁻¹
外观	黑色立方晶体
密度	4.81 g/cm3（固体时）
熔点	1062 °C（1335 K）
溶解性	微溶于酸[1]
能隙	1.344(300 K，直接带隙) eV
电子迁移率	5400 cm2/(V·s) (300 K)
热导率	0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n D	3.1 (红外线); 3.55 (632.8 nm)[2]
结构
晶体结构	闪锌矿结构
晶格常数	a = 5.8687 Å [3]
配位几何	四面体
热力学
ΔfHm⦵298K	-88.7 kJ/mol
S⦵298K	59.8 J/(mol·K)
热容	45.4 J/(mol·K)[4]
危险性
MSDS	External MSDS
欧盟编号	未列出
主要危害	有毒，会水解为磷化氢
相关物质
其他阴离子	氮化铟 砷化铟 锑化铟
其他阳离子	磷化铝 磷化镓
相关化学品	磷化铟镓 磷化铝镓铟（英语：Aluminium gallium indium phosphide） 砷锑磷化镓铟（英语：en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide）
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

制备

磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备^[5]。

用途

磷化铟因为电子速率较常见的硅半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙（英语：direct bandgap），适合作像激光二极管等光电工程元件。磷化铟也用在铟镓砷（英语：indium gallium arsenide）为基础的光电元件中的磊晶基板。

化学

在面心立方（闪锌矿）晶体结构的化合物中，磷化铟有最长寿命的光学声子^[6]。