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软光刻技术
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软光刻技术(soft lithography),又称软光刻制程、可挠性纳米转印[1]、软刻蚀技术或软光刻技术,是一种用软性高分子材质做成的可挠性刻印的模具,在模具上面涂布具有自我组合性能的单元分子(SAM, Self-Assembly Monomer)后,像印章一样,在镀金的薄膜衬底上微压,把纳米图形模子上面凸出部分的自我组合性能的单元分子(SAM)像油墨一样的印在金薄膜上[1]。



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优点
软光刻技术具有一些独特的优势比其他形式的光刻技术(如光刻和电子束光刻)。 它们包括以下内容:
1.更低的成本比传统光刻技术大量生产。
2.非常适合应用在生物技术。
3.非常适合应用在塑胶电子。
4.非常适合于超大型平面,或及非平面(nonflat)光刻。
5.不需要制作光掩模,即可制造一个小的细节设计比一般光刻实验室设备的(30〜100纳米)差不多[2]。
缺点
现在的集成电路包含了好几层不同的材料,PDMS压模的扭曲变形会导致复制图案的小误差,也使上下层做好的图形排列得不整齐。即使是最微小的排列误差或扭曲,都会损坏多层纳米电子装置。因此,软刻蚀法不适合制造需要精准堆叠的多层结构。此缺点可藉热压成形式纳米压印或步进光感式纳米压印来改善之[1]。
参见
参考资料
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