晶圓切割
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晶圓切割,是半導體器件製造過程中,將裸晶從半導體成品晶圓上分離出來的過程。[1]晶圓切割進行於光刻工藝之後的,涉及劃線、斷裂、機械鋸切[2]或雷射切割等等,切割方法通常都自動化以確保精度和準確性。[3]切割後單個矽晶片可以被封裝到晶片載體中,用於構建電子設備,例如計算機等。
切割過程中,晶圓通常安裝在切割膠帶上,切割膠帶具有黏性背襯,可將晶圓固定在薄金框架上。根據切割應用的不同,切割膠帶具有不同的特性。 UV固化膠帶用於較小尺寸,非UV切割膠帶用於較大晶片尺寸。劃片鋸可以使用帶有鑽石顆粒的劃片刀片,以30,000 rpm的速度旋轉並用去離子水冷卻。一旦晶圓被切割,留在切割帶上的片就被稱為裸晶。每個都將被封裝在合適的封裝中或作為「裸晶片」直接放置在印刷電路板基板上。被切掉的區域稱為模具街道,通常約75 μm寬。一旦晶圓被切割,晶片將留在切割膠帶上,直到在電子組裝過程中被晶片處理設備(例如晶片鍵合機或晶片分類機)取出。
標準半導體製造採用「減薄後切割」方法,即先將晶圓減薄,然後再進行切割。晶圓在切割前會被稱為背面研磨(back side grinding)的工藝進行研磨。 [1]
留在膠帶上的晶片尺寸範圍可能為一側35 mm(非常大)至 0.1 mm(非常小)。創建的模具可以是由直線生成的任何形狀,通常是矩形或正方形。在某些情況下,它們也可以是其他形狀,這取決於所使用的分割方法。全切割雷射切割機能夠切割和分離各種形狀。
切割的材料包括玻璃、氧化鋁、矽、砷化鎵(GaAs)、藍寶石上矽(SoS)、陶瓷和精密化合物半導體。[來源請求][需要引用]