雪崩二極體
維基百科,自由的 encyclopedia
雪崩二極體(avalanche diode)是設計在特定逆向電壓下,會突崩潰的二極體,其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極體的接合面會經特別設計,避免電流集中及所產生高溫熱點,因此在崩潰時不會破壞二極體。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度,因此產生更多的載子,也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的,相較於非雪崩的二極體,雪崩二極體的崩潰電壓不會隨電流而變化,大致呈一定值[1]。
此條目可參照英語維基百科相應條目來擴充。 |
稽納二極體除了齊納崩潰外,也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應,但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極體針對突崩潰進行最佳化,因此在崩潰條件下會有很小,但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管,比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極體的電壓有小的正溫度係數,而稽納二極體則是負溫度係數[2]。