三氟化氮

三氟化氮（NF₃）是鹵化氮中最穩定的無機化合物，可在銅的催化下由氨氣與氟氣製成。^[1] 它可以用作氟化氫雷射器的氧化劑，半導體、液晶和薄膜太陽能電池生產過程中的蝕刻劑。曾被試做火箭燃料。^[2] 但由於三氟化氮屬於溫室氣體，能加劇溫室效應，因此有人認為應該限制這種化合物的使用。^[3]

三氟化氮
IUPAC名 Nitrogen trifluoride
別名	氟化氮 三氟胺 三氟氨
識別
CAS號	7783-54-2 ?
PubChem	24553
UN編號	2451
RTECS	QX1925000
性質
化學式	NF3
莫耳質量	71.0019 g·mol⁻¹
外觀	無色氣體
密度	3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C) 1.885 g/cm3 (沸點時，液態)
熔點	−207.15 °C（66 K）
沸點	−129.1 °C（144 K）
溶解性（水）	0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar)
結構
分子構型	三角錐
偶極矩	0.234 D
危險性
MSDS	Air Liquide MSDS
歐盟編號	未列出
NFPA 704	0 1 0 OX
閃點	不易燃
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。

在半導體中，薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機台，會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料，但這些材料不僅會附著在晶片上，也附著在反應室內的牆壁上，內牆上的二氧化矽累積至相當數量，就會在反應室內形成微塵粒子（Particle），影響晶圓片的良率。

因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後，就要使用含氟的氣體清洗，以去除內壁上的矽化物質。不過NF₃與CF₄、C₂F₆等氣體都屬於多氟碳化物，是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響，在排放含氟廢氣前，會以高溫（攝氏700、800度才進行）將氣體由有機轉分解為無機，才不會破壞臭氧層。