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半導體探測器
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半導體探測器是一種利用半導體(通常是矽或鍺)來測量入射帶電粒子或光子效應的裝置。半導體探測器在輻射防護、粒子探測等領域有著廣泛的應用。在半導體探測器中,電離輻射的測量基於輻射在雙電極間探測器材料內激發的載流子數量。[1]
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半導體探測器是一種利用半導體(通常是矽或鍺)來測量入射帶電粒子或光子效應的裝置。半導體探測器在輻射防護、粒子探測等領域有著廣泛的應用。在半導體探測器中,電離輻射的測量基於輻射在雙電極間探測器材料內激發的載流子數量。[1]
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