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壓電電子學
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壓電電子效應 是利用壓電電勢作為「門」電壓對電荷載流子的傳輸特性進行調整和控制,可以用於製備新型的電子器件。壓電電子學的基本原理是由喬治亞理工學院的王中林教授在2007年提出來的。[1] 基於這個效應,已經製備了一系列的電子器件,包括壓電電場柵控的場效應電晶體,[2] 壓電電場控制的二極體,[3] 應變傳感器,[4] 力/流量傳感器,[5] 混合 場效應電晶體,[6] 壓電 邏輯閘電路,[7] 機電 存儲器,[8] 等等. 壓電電子器件被認為是一個新的半導體器件種類。 壓電電子學在傳感器,人機互動技術,微機電系統,納米機器人,以及有源柔性電子學等領域都可能具有重大的應用前景。
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機制


由於材料具有非中心對稱性,例如纖鋅礦結構的氧化鋅、氮化鎵和氮化銦,當在材料上施加一個應力時,在晶體中會產生一個壓電電勢。由於同時具有壓電特性和半導體特性,在晶體中產生的壓電電勢會對載流子的傳輸過程產生很強的影響。通常,基本的壓電電子器件的構造可以分成兩個類型。在這裡我們以納米線為例。 對於第一類,壓電納米線被放置在一個柔性的襯底上,兩個頂端用電極固定。在這種情況下,當襯底被彎曲,納米線會被純粹的拉伸或者壓縮。壓電電勢將會沿著納米線的軸向分布。它會改變接觸區域的電場或者肖特基勢壘的高度。在一側接觸引入的正的壓電電勢將會降低肖特基勢壘的高度,而在另一側接觸引入的負的壓電電勢將會提高勢壘的高度。因此電子傳輸特性將會被改變。對於第二類壓電電子器件,納米線的一端用電極固定,而另一端是自由的。在這種情況下,當在納米線的自由端施加一個力,對其進行彎曲,壓電電勢將會垂直於納米線的軸向分布。引入的壓電電勢是垂直於電子傳輸方向的,就好像在傳統場效應電晶體中所施加的門電壓一樣。因此,電子傳輸特性將會被改變。用於壓電電子學的材料應該是壓電半導體材料,[9] 例如氧化鋅,氮化鎵和氮化銦。壓電效應,光激發和半導體特性之間三者的耦合是壓電電子學(壓電效應-半導體特性耦合),壓電光子學(壓電效應-光子激發耦合),光電子學和壓電光電子學(壓電效應-半導體特性-光激發耦合)的基礎。這些耦合效應的核心是壓電材料中產生的壓電電勢。[9]
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參考文獻
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