威廉·加德納·普凡

威廉·加德納·普凡（William Gardner Pfann，暱稱"比爾"（Bill）^[1]，1917年10月27日—1982年10月22日）是貝爾實驗室的發明家與材料科學家。普凡因開發半導體產業用的區域熔煉技術而赫赫有名。貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道："由威廉·加德納·普凡開發的區域精煉是劃時代的發明...它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。^[2]

早年

普凡生於紐約市布魯克林。1935年普凡年僅18歲就展現了對材料科學的才能，沒有大學學歷就進入了貝爾實驗室的化學研究部門。後來到柯柏聯盟學院的夜校上學，才於1940年取得化學工程的學士學位。^[3]:198

在貝爾實驗室，普凡加入威廉·肖克利意圖以半導體取代真空管的工作。本來他們採用鍺，1945年用鍺做出了高逆壓整流器。^[3]:124 普凡想出了最早的一種點接式電晶體（英語：Point-contact transistor），他改良了西方電氣（英語：Western Electric）的1N26型點接二極體使其成為三極放大器，後來被稱為A型電晶體（Type A transistor）。^[4]

突破

晚年

1973年，普凡成為第一位摩爾傑出成就固態科學科技獎章（英語：Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology）的受獎者。 1975年，普凡被推選為美國國家科學院院士。1976年獲美國物理聯合會授予麥克格羅迪新材料獎（英語：James C. McGroddy Prize for New Materials）。