光罩數據準備

光罩數據準備（mask data preparation，MDP），也稱為版圖後處理，是將包含目標多邊形集合的積體電路版圖文件轉換為光罩刻寫機可用指令集的過程。通常會對晶片版圖進行修改和補充，以將物理版圖轉換為用於光罩製作的數據。^[1]

光罩數據準備需要以GDSII或OASIS格式的輸入文件，並生成某種光罩刻寫機專用的專有格式文件。^[2]

MDP程式

光罩數據準備中的程式和步驟

雖然歷史上將物理版圖轉換為光罩製作數據相對簡單，但近期的MDP流程包含多種步驟：^[1]

• 晶片封裝處理（chip finishing），包括用於提高版圖可製造性的自定義標記和結構。示例有封口環和填充結構。
• 生成帶測試圖樣和對準標記的標線（reticle）布局。
• 布局到光罩的準備（layout-to-mask preparation），通過圖形操作增強版圖數據並對數據進行調整以適配光罩製作設備。此步驟包括解析度增強技術（英語：Resolution enhancement technologies）（RET），例如光學鄰近效應校正（英語：Optical proximity correction）（OPC）或逆向微影技術（英語：Inverse lithography）（ILT）。

在這些步驟中還必須考慮特殊問題，以減輕它們可能產生的大量數據帶來的負面影響；過多的數據有時會導致光罩刻寫機無法在合理時間內完成光罩製作。

光罩分割

MDP 通常涉及光罩分割（mask fracturing），將複雜多邊形轉換為刻寫硬體能處理的簡單形狀，常見為矩形和梯形。由於光罩分割在整個MDP中非常常見，名詞「fracture」（分割/斷裂）有時被錯誤地用來代替「光罩數據準備」一詞。但該術語確實準確描述了MDP中的這一個子過程。

最終標線

當晶片要被製造時，單個晶片通常在最終標線（reticle）上以矩陣形式重複多次。該標線布局包含水平和垂直劃片線，用以在晶片製造後分離單個晶粒。這個矩陣的大小取決於晶圓廠微影設備所允許的最大標線尺寸。