氮化銦鎵

氮化銦鎵（InGaN, In_xGa_1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半導體，是三元的三五族直接帶隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 In_xGa_1−xN的直接帶隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間^[1]。

InGaN藍色LED（波長380–405 nm）

白光LED的光譜，其中有GaN或InGaN以及鈰雜YAG

應用

LED

氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在藍寶石或碳化矽的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量，對游離輻射的靈敏度很低（類似其他三族元素的氮化物），因此適合用作光伏陣列材料，特別是人造衛星的光伏陣列。

太陽能電池

因為可以透過調整氮化銦鎵中銦和鎵的比例，在寛範圍下調整能隙，且其頻譜和陽光對應，因此氮化銦鎵適合用在光伏陣列中^[2][3]。此材料對於各層晶格不匹配產生的缺陷較不敏感，因此可以生成不同層，各層有不同的能隙。二層的多結光伏電池，其能隙分別是1.1 eV和1.7 eV，其理論最大效率可以到50%，若沈積多層，且有更廣的能隙範圍，理論上效率有可能可以到70%^[4]。

量子異質結構

量子異質結構（英語：Quantum heterostructure）多半是由氮化鎵加上氮化銦鎵主動層製成。氮化銦鎵可以和其他材料結合，例如GaN、氮化鎵鋁（英語：aluminium gallium nitride），底層是碳化矽、藍寶石甚至是矽。

奈米柱

氮化銦鎵奈米柱（英語：nanorod）是立體結構，和平面LED比較，奈米柱發射表面較大、效率較好，光發射量也比較大^{[來源請求]}。

安全性和毒性

有關氮化銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化銦鎵製備原料（像三甲基銦、三甲基鎵和氨）的環境、健康及安全（英語：environment, health and safety）議題以及標準有機金屬化學氣相沉積法來源的工業衛生監控，目前已有文獻回顧^[5]。

相關條目

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