赫爾曼·古梅爾

赫爾曼·卡爾·古梅爾（德語：Hermann Karl Gummel，1923年7月5日—2022年9月5日），德國物理學家，主要從事半導體領域研究^[1]。

赫爾曼·古梅爾
出生	赫爾曼·古梅爾 (1923-07-05)1923年7月5日 魏瑪共和國普魯士自由邦漢諾威
逝世	2022年9月5日(2022歲—09—05)（99歲） 美國新澤西州
母校	馬爾堡大學 雪城大學
獎項	大衛·沙諾夫獎（1983年） 美國國家工程院院士（1985年） 菲爾·卡夫曼獎 （1994年）
科學生涯
研究領域	半導體裝置

生平

1923年生於普魯士漢諾威，1952年在菲利普斯大學獲得物理學大學文憑。1957年在美國雪城大學獲得半導體物理學博士學位^[2]。1956年加入貝爾實驗室^[3]。主要從事半導體裝置研究。曾提出數學模型，用來描述雙極性電晶體的具體工作原理，成為集成電路通用模擬程序程序開發的核心^[4]。1983年獲得電氣電子工程師學會大衛·沙諾夫獎^[5]。1985年當選美國國家工程院院士^[6]。1994年，獲得首屆菲爾·卡夫曼獎^[7]。2022年9月5日逝世^[1]。

主要論文

• Gummel, Hermann; Lax, Melvin. Thermal capture of electrons in silicon. Annals of Physics. 1957, 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9.
• Gummel, H. K.; Poon, H. C. An integral charge control model of bipolar transistors. Bell Syst. Tech. J. May 1970, 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x.
• Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul. MOTIS-An MOS Timing Simulator. IEEE Transactions on Circuits and Systems. December 1975, CAS–22 (12): 901–910.