間隙壁圖案化

間隙壁圖案化是一種用於製作線寬小於傳統光刻所能達到極限的結構的技術。一般做法是先在預先圖案化的結構（通常稱為支承體（mandrel））上沉積一層間隙壁。隨後對該層進行回蝕工藝，使覆蓋在支承體上的部分被去除，僅保留側壁上的部分。隨後支承體可能被移除，從而在每個支承體的兩側留下兩條間隙壁。這些間隙壁還可以進一步修整至更窄，以作為後續第二次間隙壁形成的支承體。因此，這是一種常用的多重圖案化技術。或者，也可去除兩條間隙壁中的一條，對剩下的進行更極致的修整得到最終非常小的線寬。相比浸沒式光刻（英語：Immersion lithography）可實現約40納米線寬，間隙壁圖案化則可達到20納米。該解析度提升技術也稱為自對準雙重圖案化（Self-Aligned Double Patterning，SADP）。SADP可反覆應用以實現更高解析度，已有實驗用於製備15納米的NAND快閃記憶體。^[1]在14納米和10納米等先進制程中也廣泛採用此方法，可在某些場景下將掩模數減半。^[2]

間隙壁圖案化流程：首次圖案；沉積；通過蝕刻形成間隙壁；去除首次圖案；利用間隙壁掩模板蝕刻；最終圖案

間隙壁修整（俯視圖）：左：在支承體（灰色）上沉積間隙壁（藍色）並蝕刻，僅保留覆蓋在側壁部分。中：支承體被移除。右：通過蝕刻修整間隙壁至更窄寬度

間隙壁圖案化（不移除支承體）

當支承體即為MOSFET柵極堆疊時，間隙壁在回蝕至僅保留側壁部分後，不移除支承體。此時氮化矽側壁間隙壁仍保留，用於保護柵極堆疊及其下方的柵氧化層在後續工藝中的完整性。

自對準反間隙壁雙重圖案化

該方法是從自對準間隙壁雙重圖案化派生而來，稱為「反間隙壁」雙重圖案化。步驟為：在支承體上沉積第一層，該層最終被去除；其上再沉積第二層，再平坦化並保留。已有完全採用旋塗和濕法工藝的示範。^[3]

間隙壁即介質（Spacer-Is-Dielectric，SID）

當間隙壁用於定義導電結構時，需要切割以防形成閉合環路。在另一種間隙壁即介質（SID）方法中，間隙壁用於定義導電結構之間的絕緣空間，因此無需切割。在此方法中，支承體的布局設計更具策略性，不再限於一維線狀結構。由於其靈活性高且僅需極少額外掩膜，SID技術備受關注。^[4]上述反間隙壁雙圖案化自然契合SID理念：在移除間隙壁前再沉積一層額外材料。