鰭式場效電晶體

鰭式場效電晶體^[1]（英語：Fin Field-Effect Transistor，簡稱：FinFET），是一種新的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）場效電晶體，通過柵將極放置在導電通道的兩側、三側或四側或環繞通道（閘極四周），形成雙閘極或多閘極結構，以改善電路對導體的控制，並減少漏電流，縮短電晶體的閘長。^[2]FinFET是一種立體的場效電晶體，屬於多閘極電晶體。

FinFET元件

當電晶體的尺寸小於25奈米以下，傳統的平面場效電晶體的尺寸已經無法縮小。FinFET的主要思想是將場效電晶體立體化。

來自台積電（TSMC）的胡正明博士在其研究中首次披露了該技術的可行性以及其性能相較於傳統的平面型場效電晶體的優勢^[3]，並在2020年因該項技術獲得IEEE榮譽勳章。^[4]

2011年，英特爾已經推出商業化的22奈米FinFET。^[5]

在2018年2月開始，中國科學院微電子研究所就該技術涉及該所的部分專利對英特爾提出侵權訴訟，而英特爾多次反制，向中美兩國的智慧財產權管理部門申請專利無效審議或覆審，但均告失敗，2020年7月28日，國家知識產權局口頭受理了該次申請無效審議。^[6]