DDR SDRAM

雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM或DDR），為具有雙倍資料傳輸率的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

此條目的主題是一種記憶體類型。關於「DDR」的其他意義和用法，請見「DDR」。

DDR SDRAM

研發商	Samsung JEDEC
類型	SDRAM
發布日期	1998年 (1998)
後繼機種	DDR2 SDRAM

DDR SDRAM 在系統時鐘的上升沿和下降沿都可以進行資料傳輸。

JEDEC固態技術協會為DDR記憶體設立速度規範^[1]，並分為以下兩個部分：按主記憶體晶片分類和按主記憶體模組分類。

規格

SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次資料，它是在時鐘上升期進行資料傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內可傳輸兩次資料，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料。

晶片和模組

標準名稱	I/O 匯流排時脈 (MHz)	週期 (ns)	記憶體時脈 (MHz)	數據速率 (MT/s)	傳輸方式	模組名稱	極限傳輸率 (MB/s)
DDR-200	100	10	100	200	並列傳輸	PC-1600	1600
DDR-266	133	7.5	133	266	並列傳輸	PC-2100	2100
DDR-333	166	6	166	333	並列傳輸	PC-2700	2700
DDR-400	200	5	200	400	並列傳輸	PC-3200	3200

注意：上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範，往往是製造商自行最佳化，使用更嚴格的公差或overvolted晶片。

DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異，設計不同的時脈頻率，例如，PC-1600被設計運行在100 MHz，至於PC-2100被設計運行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模組用於桌上型電腦，被稱為DIMMs，有184隻引腳（而不是168針SDRAM，或240針腳的DDR2 SDRAM），並可以從不同notches數目來辨別（DDR SDRAM，有一個，SDRAM，SDRAM DIMMs的有兩個）。筆記型電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳，引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似，如果不能確定正確的匹配，必須小心插入。

記憶晶片

• DDR-200：DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
• DDR-266：DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
• DDR-333：DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
• DDR-400：DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行（JEDEC制定的DDR最高規格）
• DDR-500：DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
• DDR-600：DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
• DDR-700：DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）

晶片模組

為了要增加主記憶體的容量和帶寬，晶片會利用模組結合。例如，有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位元的晶片並行處理。與常見的位址線（address lines）的多個晶片被稱為memory rank。這個術語被引入，是要避免與晶片內部row和bank的混亂。

• PC-1600記憶體模組指工作在 100MHz 下的DDR-200主記憶體晶片，其擁有 1.600GB/s 的頻寬
• PC-2100記憶體模組指工作在 133MHz 下的DDR-266主記憶體晶片，其擁有 2.133GB/s 的頻寬
• PC-2700記憶體模組指工作在 166MHz 下的DDR-333主記憶體晶片，其擁有 2.667GB/s 的頻寬
• PC-3200記憶體模組指工作在 200MHz 下的DDR-400主記憶體晶片，其擁有 3.200GB/s 的頻寬

高密度比低密度

PC3200是使用帶寬 3200 MB / s的DDR - 400晶片設計，在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200主記憶體的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸，其有效的時鐘速率為 400 MHz。

世代

DDR SDRAM Standard	Bus clock (MHz)	Internal rate (MHz)	Prefetch (min burst)	Transfer Rate (MT/s)	Voltage	DIMM pins	SO-DIMM pins	MicroDIMM pins
DDR	100–200	100–200	2n	200–400	2.5/2.6	184	200	172
DDR2	200–533	100–266	4n	400–1066	1.8	240	200	214
DDR3	400–1066	100–266	8n	800–2400	1.5	240	204	214
DDR4	800–1200	200–300	16n	1600–5067	1.2	288	260	214

（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準，提供更高的效能和新功能。

DDR 預取緩衝器（prefetch buffer）深度為2位元，而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR，但整體效能並沒有提升，主要是由於DDR2高延遲（high latency）。直到2004年DDR2才有明顯的提升。

MDDR

MDDR是Mobile DDR的縮寫，在一些行動電子裝置中使用，像是使用移動電話、手持裝置、數字音訊播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的重新整理選項（advanced refresh options）技術，MDDR可以實現更高的電源效率。

公式

利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。

DDR I/II記憶體運作時脈：實際時脈*2。 （由於兩筆資料同時傳輸，200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。）

記憶體頻寬=記憶體速度*8 Byte

標準公式：記憶體除頻係數=時脈／200→*速演算法：外頻*（除頻頻率／同步頻率） （使用此公式將會導致4%的誤差）