闪存
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闪存[1][2](flash memory,台湾译快閃記憶體[3],中国大陆又称闪速存储器[4][2]、快闪存储器[5]),是一种像电可擦写只读存储器一样的存储器,允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中,因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記本電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移,也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。
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早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料,但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。與傳統的硬碟相比,快閃記憶體有更佳的動態抗震性,不會因為劇烈晃動而造成資料丟失;快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠,可以浸在水中,也可抵抗高壓力和極端溫度;並且快閃記憶體屬於“非揮發性固態儲存”,非揮發性指的是在保存檔案時不需要消耗電力。基於以上這些優點,使得快閃記憶體非常適用於需要遊歷各種場所並需要隨時存檔的電子設備,因此在小型的可移動電子設備中大放異彩。快閃記憶體的出現迅速取代了造價高昂的普通EEPROM或需要保持供电才能保存数据的SRAM。
快閃記憶體在分類上屬於“EEPROM”的一種,但一般業界所講的EEPROM指的是那種“非快閃式”的普通EEPROM,並不是指它。快閃記憶體以“大區塊抹除”的方式改寫其體內的資料,因為這種大區塊的特性導致它的“写入速度”往往慢于“读取速度”,但也導致它的成本遠遠低於“以位元組為單位寫入”的普通EEPROM[6]。由於普通EEPROM需要一個一個位元的刪除已有資料,這讓其傳輸速度極其緩慢,相較之下快閃記體直接使用“大區塊抹除”則會快得多,在會多次用到高清畫面、高品質音樂的情況下尤為明顯。
快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型,闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA,在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种:ONFI (页面存档备份,存于互联网档案馆)和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC、UFS和NVME(特用于苹果设备中的闪存)的方式存在。