高頻寬記憶體
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高頻寬記憶體(英文:High Bandwidth Memory,縮寫HBM)是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM,適用於高記憶體頻寬需求的應用場合,与高性能圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器、交換器)、高性能数据中心的AI特殊应用集成电路结合使用,在 CPU 中用作包内高速缓存,在即将推出的 CPU 和 FPGA 中用作包内 RAM,还用于某些超级计算机(如 NEC SX-Aurora TSUBASA 和富士通 A64FX)。[1][2]首款HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产,[3]首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心[4][5]。
2013年10月,高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。[6]第二代高頻寬記憶體(HBM2)于2016年1月被JEDEC采纳。[7]NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。