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氧化镓

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氧化镓
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氧化镓最稳定的氧化物化学式为Ga2O3,是一种无机化合物,白色的晶体粉末,具有两性。它是作为制造宽带隙半导体的一部分。

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制备

氧化镓可以通过在空气中加热金属或在200~250℃热分解硝酸镓得到。氧化镓有五种形态——α, β, γ, δ和ε,其中β-Ga2O3是最稳定的形态。[4]

2 C + Ga2O3 → Ga2O + 2 CO
Ga2O3 + 3 C → 2 Ga + 3 CO
2 Ga2O + 2 O2 → 2 Ga2O3
4 Ga + 3 O2 → 2 Ga2O3
  • α-Ga2O3可以通过在65 kbar与1100℃加热β-Ga2O3得到。其水合物可以通过在500℃分解沉淀并老化的氢氧化镓得到。
  • γ-Ga2O3通过在400~500℃迅速加热氢氧化镓凝胶得到。多晶体可以通过直接的溶剂热反应制备。[6]
  • δ-Ga2O3由Ga(NO3)3在250˚C热分解得到。
  • ε-Ga2O3可以通过550℃短暂加热δ-Ga2O3 30分钟得到。[4]
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化学性质

氧化镓可以和碱金属氧化物在高温反应,产生偏镓酸盐,如NaGaO2;和Mg、Zn、Co、Ni、Cu的氧化物加热形成尖晶石型晶体,如MgGa2O4[7] 它溶于碱金属氢氧化物溶液,形成Ga(OH)
4
羟基配离子。

它和氯化氢气体在氩气气氛中反应,生成无水三氯化镓GaCl3[8]

Ga2O3 + 6 HCl → 2 GaCl3 + 3 H2O

和氟气反应,产生无水氟化镓;溶于50%氢氟酸,生成氟化镓的三水合物:[9]

Ga2O3 + 6 HF → 2 GaF3·3H2O

它可以被氢气还原为氧化亚镓(一氧化镓)Ga2O,[10]也可以被单质镓还原:[11]

Ga2O3 + 2 H2 → Ga2O + 2 H2O
Ga2O3 + 4 Ga → 3 Ga2O

應用

氧化鎵是一種重要的功能性材料。人們正在研究將它們用於雷射螢光粉和發光材料,並且已證明它們具有催化特性,可作為半導體結中的絕緣屏障。[12]

穩定的氧化物单斜晶系β-氧化鎵(III)用於氣體传感器、螢光粉、發光材料和太陽能電池的電介質塗層。透明導體在深紫外線領域的應用潛力也已被證實。[13]

參看

参考文献

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