梁式引线技术

梁式引线技术是一种制造半导体器件的方法。其最初的應用於高頻矽開關晶体管和高速集成电路。這項技術消除了當時積體電路常用的勞力密集引線鍵合製程。它還能夠將半導體晶片自動組裝到更大的基板上，從而促進混合集成电路生產。^[1]

梁式引线集成电路

20世纪60年代初期，MP Lepselter^[2][3]开发了一种制造技术，涉及在薄膜Ti-Pt-Au基底上电铸一系列厚的自支撐金圖案，從而產生了“梁”一詞。這些圖案沉積在硅晶片的表面上。隨後去除樑下方多餘的半导体材料，使各个器件分離，並留下自支撐梁引線或懸臂超出半導體材料的內部芯片。這些觸點不僅充當電引線，還為設備提供結構支撐。

专利

专利发明包括：

1. 使用陰極濺鍍（等離子蝕刻/RIE）選擇性去除材料，美國專利#3,271,286；1966年发行
2. PtSi半導體接點和肖特基二極體（PtSi Schottky Diodes），美國專利#3,274,670；1966年发行
3. 包括梁式引线的半导体器件（梁式引线，Ti-Pt-Au 金属系统），美国专利#3,426,252；1969年发行
4. 制作紧密间隔导电层的方法（空气绝缘交叉、空气桥、射频开关），美国专利#3,461,524；1969年发行
5. 振动簧片装置（MEMS），美国专利#3,609,593；1971年发行